MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：1.75W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：Digi-Reel®
MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：20W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：1.75W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：20W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：20W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
MJD117T4詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶體管類型：PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 電流_集電極截止（最大）：20µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V
- 功率_最大：20W
- 頻率_轉換：25MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 51NH 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 7/16-20UNF .5-4.5V
- 固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR 100UH 1.3A 20% SMD
- 固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR POWER 0.9UH 7.8A SMD
- 二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
- 加速計 Freescale Semiconductor 14-VFLGA ACCELEROMETER 3AXIS DGTL 14-LGA
- FET - 陣列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
- 固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 5.1NH 0402
- 固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR POWER 15UH 2.4A SMD
- 固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR 22UH 2.6A 20% SMD
- 二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
- 加速計 Freescale Semiconductor 10-VFDFN ACCELEROMETER 3X3 DGTL 10-DFN
- FET - 陣列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN
- 固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 6.8NH 0402
0755-83200050 
0755-23914006 
