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MJD2955詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

MJD2955-001詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

MJD2955-1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

MJD2955G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

MJD2955T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

MJD2955T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：10A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：5V @ 3.3A，10A; 電流_集電極截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MAX13035EETE+T
邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
MMBD7000-7
二極管，整流器 - 陣列 Diodes/Zetex TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
MCW0406MD2490BP100
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604（1610 Metric），0406 RES 249 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
MJD253T4
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
MJD112G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
MM74HC123AM
邏輯 - 多頻振蕩器 Fairchild Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MULTIVIBRATOR MONO DL 16-SOIC
MP6-1F-1L-1L-1Q-1Q-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MAX13042EETD+T
邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 14-WFDFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANSLATOR 14-TDFN
MAX1501ETE/V+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC BATTERY CHARGER 16WQFN
MMBD7000-7
二極管，整流器 - 陣列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
MM74HC126MX
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14SOIC
MP6-1F-1L-4LE-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MJD112TF
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
MAX13050ASA+
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX CAN 1MBPS 8-SOIC
MAX1501ETE+
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC BATTERY CHARGER 16-TQFN

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MMBD7000-7

MCW0406MD2490BP100

MJD253T4

MJD112G

MM74HC123AM

MP6-1F-1L-1L-1Q-1Q-00

MAX13042EETD+T

MAX1501ETE/V+T

MMBD7000-7

MM74HC126MX

MP6-1F-1L-4LE-00

MJD112TF

MAX13050ASA+

MAX1501ETE+

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