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MMBT4401詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

MMBT4401詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

MMBT4401詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

MMBT4401_D87Z詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS GP NPN 40V 600MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

MMBT4401-7詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MMBT4401-7詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類(lèi)型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

MLH010BSG17B
壓力 Honeywell Sensing and Control 圓柱型，金屬 TRANS MLH010 BAR S 43650-C G1
MJE271
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225
MM8030-2600RJ3
同軸，RF Murata Electronics North America - CONN MW W/SWITCH 2X2 SMD
MAX16016LTBR+T
PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated 10-WFDFN 裸露焊盤(pán) IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP
MLH010KSC14G
壓力 Honeywell Sensing and Control 圓柱型，金屬 MLH ALL METAL PRESS SENSE
MM80C95N
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Fairchild Semiconductor 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC BUFF TRI-ST HEX N-INV 16DIP
MJE2955T
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-220-3 TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220
MP6-2X-2X-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MMBT4126LT3G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS GP SS PNP 25V SOT23
MLH016BSG01B
壓力 Honeywell Sensing and Control 圓柱型，金屬 SENSOR SEALED GAGE 0-16 BAR
MJE340
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-32
MM8130-2600RA2
同軸，RF Murata Electronics North America 16-DIP（0.300"，7.62mm） CONN MW COAXIAL WITH SWITCH SMD
MAX16016LTBW+T
PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated 10-WFDFN 裸露焊盤(pán) IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP
MP6-2Y/1Q-4LE-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MJN2C-N-AC24
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V