

MPSA06詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR AMP NPN GP TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
MPSA06,116詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT54
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MPSA06,126詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT54
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
MPSA06,412詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN GP 80V TO-92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:管件
MPSA06_D26Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR AMP NPN GP TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MPSA06_D27Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP NPN 80V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 ON Semiconductor 14-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC BUS BUFF TRI-ST QUAD 14SOEIAJ
- 邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 14-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC GATE OR QUAD 2IN EXC 14SOEIAJ
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANS NPN RF SS 15V TO92
- 二極管,整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 DIODE SCHOT 30A 90V DUAL TO220-3
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 1206(3216 公制) RES 261 OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 357-BBGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 357-PBGA
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Microsemi SoC 144-LBGA IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA
- 數據采集 - 數模轉換器 Maxim Integrated 20-DIP(0.300",7.62mm) IC DAC 12BIT MULT 20-DIP
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 ON Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC BUFFER NONINV QUAD 3ST 14SOIC
- 單二極管/整流器 ON Semiconductor DO-201AA,DO-27,軸向 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 357-BBGA IC MPU POWERQUICC 66MHZ 357-PBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 1206(3216 公制) RES 2.61K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Microsemi SoC 256-LBGA IC FPGA 1KB FLASH 600K 256-FBGA
- 數據采集 - 數模轉換器 Maxim Integrated 20-DIP(0.300",7.62mm) IC DAC 12BIT CMOS PAR 20PDIP
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 ON Semiconductor 16-DIP(0.300",7.62mm) IC DECODER/DMUX 1-8 LSTTL 16DIP