MPSA29詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：散裝
MPSA29詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：散裝
MPSA29_D26Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：帶卷 (TR)
MPSA29_D27Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：帶卷 (TR)
MPSA29_D75Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：帶盒（TB）
MPSA29G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：散裝
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 CHOKE COM MODE 0.77MH 4.70A SMD
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標片 SIDACTOR 3CHP 200V 250A TO-220
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 120SEC 28-TSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPDT 16TSSOP
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDAC SYM 3CHP 200V 150A MS-013
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-TSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） EVALUATION BOARD FOR ISL85001
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCT PWR 179UH SMD
0755-22655674 
0755-83515980 
