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MTM231100L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 1A，4V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S迷你型3-G1; 包裝：剪切帶 (CT)

MTM231100L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 1A，4V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S迷你型3-G1; 包裝：帶卷 (TR)

MTM231100L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 1A，4V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S迷你型3-G1; 包裝：Digi-Reel®

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線性 - 比較器 NJR 14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC COMP QUAD SNGL-SUPPLY 14-DMP

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