MUN2131T1G 全國供應商、價格、PDF資料
MUN2131T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：PNP - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：2.2k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：230mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SC-59
- 包裝：帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 2.2 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 95.3 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 6.2M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 端子 - 環形 3M 19-SMD CONN RING INSUL 22-18 AWG #6
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 2.7 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 976 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 端子 - 環形 3M 19-SMD CONN RING INSUL 22-18AWG 100PC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 30 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 2.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
0755-83242658 
18026926850/0 
