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MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

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