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MURS360S-E3/52T詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 3A 600V 50NS UF DO214AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：600V; 電流_平均整流333Io444：3A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1.45V @ 3A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：75ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 600V; 電容0a0VrwwwwF：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-214AB，SMC; 供應商設備封裝：DO-214AB，（SMC）; 包裝：帶卷 (TR)

MURS360S-E3/52T供應商

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MSC1210Y5PAGTG4
數據采集 - ADCs/DAC - 專用型 Texas Instruments 64-TQFP IC ADC W/MICROCTRLR 64-TQFP
MCR03EZPFX51R1
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 51.1 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT47H512M4EB-187E:C
存儲器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 60FBGA
MT48LC16M4A2P-7E:G
存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MCR10FZPJ511
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 510 OHM 1/8W 5% 0805
MWSB-1-01A-RT
線夾和夾具 Richco Plastic Co 徑向 MICRO WIRE SADDLE W/ADHESIVE BAS
MS3476L14-4P
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 4POS CABLE PIN
MT47H512M4EB-3:C
存儲器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 60FBGA
MSC1211EVM
過時/停產零件編號 Texas Instruments EVALUATION MODULE FOR MSC1211
MCR12DCMT4
SCR - 單個 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 THYRISTOR SCR 12A 600V DPAK
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
MWSEA1-3-01
線夾和夾具 Richco Plastic Co 徑向 WIRE SDLE MICRO .118"HOLE .44"
MT47H64M16B7-37E:A
存儲器 Micron Technology Inc 92-FBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 92FBGA
MS3476L14-4S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 4POS STRAIGHT W/SCKT
MSC1211Y3PAGT
數據采集 - ADCs/DAC - 專用型 Texas Instruments 64-TQFP IC 8051 CPU PREC ADC/DAC 64-TQFP