NDF02N60ZH 全國供應商、價格、PDF資料
NDF02N60ZH詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 歐姆 @ 1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：325pF @ 25V
- 功率_最大：24W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：TO-220FP
- 包裝：管件
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 18UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 10UH 550MA 10%
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 8CIRC 9.50MM
- FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 82.5 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 220UH 5% 1812
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 100UH 10% 453232
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 887K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 27UH 5% 1812
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 9.50MM
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
0755-88291559 
18026926850/0 
