

NDT014詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:155pF @ 25V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-3
- 包裝:Digi-Reel®
NDT014詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:155pF @ 25V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-3
- 包裝:帶卷 (TR)
NDT014詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:155pF @ 25V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
NDT014L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:214pF @ 30V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:Digi-Reel®
NDT014L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:214pF @ 30V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
NDT014L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:214pF @ 30V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 11.3KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 500V 12A TO220FP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 470UH 5% 1812
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 磁體 Standex-Meder Electronics TO-220-3 整包 MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA