NE350184C詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：HJ-FET 20GHZ MICRO-X
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：HFET
- 頻率：20GHz
- 增益：13.5dB
- 電壓_測試：2V
- 額定電流：70mA
- 噪音數據：0.7dB
- 電流_測試：10mA
- 功率_輸出：-
- 電壓_額定：4V
- 封裝/外殼：微型-X 陶瓷 84C
- 供應商設備封裝：84C
- 包裝：散裝
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .10UH 2.85A 20% 1210
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 12-UFQFN IC SWITCH DP3T 12UQFN
- 線夾和夾具 Richco Plastic Co 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） CLAMP VINYL-DIPPED 1-3/64 X 1/2"
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 1 LICENSE
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
0755-22929859 
