NE461M02-T1-AZ詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：15V
- 頻率_轉換：-
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：-
- 功率_最大：2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 50mA，10V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：250mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89
- 包裝：帶卷 (TR)
NE461M02-T1-AZ詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：15V
- 頻率_轉換：-
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：-
- 功率_最大：2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 50mA，10V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：250mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89
- 包裝：剪切帶 (CT)
NE461M02-T1-AZ詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：15V
- 頻率_轉換：-
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：-
- 功率_最大：2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 50mA，10V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：250mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89
- 包裝：Digi-Reel®
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 15UH 10% 1812
- 氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 6.3V 2917
- RF 晶體管 (BJT) CEL TO-243AA TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 存儲器 Micron Technology Inc 144-TBGA IC RLDRAM 576MB 144UBGA
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16QSOP
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 68.1 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 150UH 10% 1812
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16QSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 存儲器 Micron Technology Inc 144-XFBGA IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 698 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 150UH 10% 1812
0755-82563615 
