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NOSW476M004R0150詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：47µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：150 毫歐; 電流_泄漏電流：3.8µA; 耗散因數：6%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代碼：W; 高度_座高（最大）：0.059"（1.50mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：剪切帶 (CT)

NOSW476M004R0150詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：47µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：150 毫歐; 電流_泄漏電流：3.8µA; 耗散因數：6%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代碼：W; 高度_座高（最大）：0.059"（1.50mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：Digi-Reel®

NOSW476M004R0150詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：47µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：150 毫歐; 電流_泄漏電流：3.8µA; 耗散因數：6%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代碼：W; 高度_座高（最大）：0.059"（1.50mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：帶卷 (TR)

NOSW476M004R0150供應商

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NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NOSV477M006R0075
氧化鈮 AVX Corporation 2924（7361 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
NLFV25T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
MT5000-3/8-2-SP
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
NE5531079A-T1-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
MT4VDDT1664HG-335F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MFR-25FRF-8K06
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
NE3514S02-T1D-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 HJ-FET NCH 10DB S02
NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
MT5000-3/8-9-SP
熱縮管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
MFR-25FRF-8K66
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT4VDDT1664HY-40BK1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
NE3515S02-T1C-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
HM2R02PA5108E9
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A