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NP36P04SDG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）; 包裝：帶卷 (TR)

NP36P04SDG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）; 包裝：剪切帶 (CT)

NP36P04SDG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）; 包裝：Digi-Reel®

NP36P04SDG-E1-AY供應(yīng)商

NP36P04SDG-E1-AY 輝華拓展 0755-82575207
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市凱睿晟科技有限公司 075582795079
NP36P04SDG-E1-AY 深圳國芯暉科技有限公司 18368000637
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市華斯頓電子科技有限公司 0755-83777708
NP36P04SDG-E1-AY 艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司 15813737183
NP36P04SDG-E1-AY 深圳恒際天威科技有限公司 755-23914055
NP36P04SDG-E1-AY 北京首天偉業(yè)科技有限公司 010-62104931、
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市凱睿晟科技有限公司 075582795079
NP36P04SDG-E1-AY NP60N03SUG-E1-AY 深圳市中新永盛科技有限公司 0755- 8321184
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市春濤電子有限公司 0755-82563615
NP36P04SDG-E1-AY 深圳國芯暉科技有限公司 18923819169
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
NP36P04SDG-E1-AY 上海熠富電子科技有限公司 15026993318 /
NP36P04SDG-E1-AY 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
NP36P04SDG-E1-AY 上海熠富電子科技有限公司 15821228847 /
NP36P04SDG-E1-AY 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、

查看更多NP36P04SDG-E1-AY的供應(yīng)商

NSBC114YPDXV6T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
MIC2183YM
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
NP33N06YDG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America 8-SMD，扁平引線裸焊盤 MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
HMK325B7474MN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 0.47UF 100V 20% X7R 1210
NOJB226M004RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210
P1168.452NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR SHIELD 4.5UH SMD
MGA-64606-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-UFDFN 裸露焊盤 IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
NOJD227M004RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2917
NSBC115TDP6T5G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-963 TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963
HMK432B7105KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1812
NOJB226M006RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1210
MGA-64606-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-UFDFN 裸露焊盤 IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
P1168.682NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR SHIELD 6.8UH SMD
NOJD337M004RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 330UF 4V 2917
NSBC123EPDXV6T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

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NP36P04SDG-E1-AY 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

NP36P04SDG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格

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MIC2183YM

NP33N06YDG-E1-AY

HMK325B7474MN-T

NOJB226M004RWJ

P1168.452NLT

MGA-64606-BLKG

NOJD227M004RWJ

NSBC115TDP6T5G

HMK432B7105KM-T

NOJB226M006RWJ

MGA-64606-TR1G

P1168.682NLT

NOJD337M004RWJ

NSBC123EPDXV6T1G

NP36P04SDG-E1-AY 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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