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NP50P03YDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線裸焊盤; 供應商設備封裝：8-HSON; 包裝：剪切帶 (CT)

NP50P03YDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線裸焊盤; 供應商設備封裝：8-HSON; 包裝：Digi-Reel®

NP50P03YDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線裸焊盤; 供應商設備封裝：8-HSON; 包裝：帶卷 (TR)

NP50P03YDG-E1-AY供應商

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