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NSS12601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 12V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：120mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

NSS12601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 12V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：120mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

NSS12601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 12V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：120mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

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P51-300-G-C-I36-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 300PSI M12-1.5 6G .5-4.5V
P51-750-A-G-M12-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 750PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
NKN-50FR-52-2R7
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES NON-IND WW 2.7 OHM 1/2W 1%
NX3225SA-20MHZ-STD-CRS-2
晶體 NDK 4-SMD CRYSTAL 20.000 MHZ 8 PF SMD
NHD-0220DZ-FSW-FBW
顯示器模塊 - LCD，OLED 字符和數字 Newhaven Display Intl LCD MOD CHAR 2X20 WH TRANSFL
HWS300-5
AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc PWR SUP IND 5V 60A SNG OUTPUT