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NSS20500UW3T2G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NSS20500UW3T2G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：260mV @ 400mA，4A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2A，2V
功率_最大：875mW
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-WDFN（2x2）
包裝：剪切帶 (CT)

NSS20500UW3T2G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：260mV @ 400mA，4A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2A，2V
功率_最大：875mW
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-WDFN（2x2）
包裝：Digi-Reel®

NSS20500UW3T2G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：260mV @ 400mA，4A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2A，2V
功率_最大：875mW
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-WDFN（2x2）
包裝：帶卷 (TR)

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