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NSS35200CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：35V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 20mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1.5A，2V; 功率_最大：635mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

NSS35200CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：35V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 20mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1.5A，2V; 功率_最大：635mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

NSS35200CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：35V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 20mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1.5A，2V; 功率_最大：635mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

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PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC

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NSS35200CF8T1G 全國供應商、價格、PDF資料

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