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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NTHD5903T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

NTHD5903T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 2.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：ChipFET?
包裝：剪切帶 (CT)

NTHD5903T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 2.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：ChipFET?
包裝：帶卷 (TR)

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