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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NTQD6866R2 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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NTQD6866R2詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 6.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V
功率_最大：940mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：帶卷 (TR)

NTQD6866R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 6.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V
功率_最大：940mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：帶卷 (TR)

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