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PBSS4032SP,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PBSS4032SP,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY PNP/PNP 30V 4.8A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：4.8A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：510mV @ 250mA，5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉換：115MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

PBSS4032SP,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY PNP/PNP 30V 4.8A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：4.8A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：510mV @ 250mA，5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉換：115MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

PBSS4032SP,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY PNP/PNP 30V 4.8A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：4.8A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：510mV @ 250mA，5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉換：115MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

PBSS4032SP,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY PNP/PNP 30V 4.8A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：4.8A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：510mV @ 250mA，5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉換：115MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®

PBSS4032SP,115供應商

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