

PMR370XN,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:840mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:37pF @ 25V
- 功率_最大:530mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75
- 包裝:剪切帶 (CT)
PMR370XN,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:840mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:37pF @ 25V
- 功率_最大:530mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75
- 包裝:帶卷 (TR)
PMR370XN,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:840mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:37pF @ 25V
- 功率_最大:530mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75
- 包裝:Digi-Reel®
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