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» 型號"PMV31XN,215"的供應(yīng)信息
PMV31XN,215 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
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PMV31XN,215詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:410pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-236AB
包裝:剪切帶 (CT)
PMV31XN,215詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:410pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)
PMV31XN,215詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:410pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)
PMV31XN,215詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:410pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-236AB
包裝:Digi-Reel®
PMV31XN,215供應(yīng)商
PMV31XN,215
深圳市濤能電子科技有限公司
13537790913
查看更多PMV31XN,215的供應(yīng)商
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