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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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QS6M3TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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QS6M3TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：80pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6
包裝：剪切帶 (CT)

QS6M3TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：80pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6
包裝：Digi-Reel®

QS6M3TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：80pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6
包裝：帶卷 (TR)

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