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» 型號"RNF18FTD1R02"的供應(yīng)信息
RNF18FTD1R02 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
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RNF18FTD1R02詳細(xì)規(guī)格
類別：通孔電阻器
描述：RES 1/8W 1.02 OHM 1% AXIAL
系列：RN
制造商：Stackpole Electronics Inc
電阻333Ω444：1.02
功率333W444：0.125W，1/8W
成分：金屬薄膜
特性：阻燃涂層
溫度系數(shù)：±100ppm/°C
容差：±1%
封裝/外殼：軸向
供應(yīng)商器件封裝：軸向
大小/尺寸：0.071" 直徑 x 0.130" L（1.80mm x 3.30mm）
高度：-
端子數(shù)：2
包裝：帶卷 (TR)
RNF18FTD1R02供應(yīng)商
RNF18FTD1R02
北京首天偉業(yè)科技有限公司
010-62104931、
RNF18FTD1R02
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
查看更多RNF18FTD1R02的供應(yīng)商
RNCP0603FTD1K65
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1.65K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SCD223110QCD
接口 - 控制器 Intel 100-QFP IC 2CH SER WAN COM CNTRL 100MQFP
SI4487DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
RNF18FTD1M20
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.2M OHM 1% AXIAL
SI3867DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI7119DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK
SD6NA-080G-000000
固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 80GB
SI4488DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
RNCP0603FTD1K78
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1.78K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SCD334K122A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 0.33UF 1.2KVDC SCREW
SI7123DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
SI3900DV-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
SD6NB-272G-000000
固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 272GB
RNCP0603FTD1R00
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1 OHM 1% 0603 SMD
MDM-51SH034F
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 8"
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