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RT1206DRE0760R4L詳細(xì)規(guī)格: 類別：芯片電阻 - 表面安裝; 描述：RES 60.4 OHM 1/4W .5% SMD 1206; 系列：RT; 制造商：Yageo; 電阻333Ω444：60.4; 功率333W444：0.25W，1/4W; 成分：薄膜; 特性：-; 溫度系數(shù)：±50ppm/°C; 容差：±0.5%; 封裝/外殼：1206（3216 公制）; 供應(yīng)商器件封裝：1206; 大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）; 高度：0.026"（0.65mm）; 端子數(shù)：2; 包裝：帶卷 (TR)

SI7463DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
SI4485DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI6423DQ-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
RT1206DRE075K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 5.10K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SMAJ13CHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA
SI3216DCQ1-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盤 DAUGHTER CARD W/SI3201 INTERFACE
RYM18DTAS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
SI7464DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC
SI4486EY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
SI6433BDQ-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
SMAJ13CHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA
RYM18DTBH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
SI4487DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI3216-KT
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
SI7469DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC

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SMAJ13CHE3/61

RYM18DTBH

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