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RT1206DRE07680KL 全國供應商、價格、PDF資料

RT1206DRE07680KL詳細規格: 類別：芯片電阻 - 表面安裝; 描述：RES 680K OHM 1/4W .5% SMD 1206; 系列：RT; 制造商：Yageo; 電阻333Ω444：680k; 功率333W444：0.25W，1/4W; 成分：薄膜; 特性：-; 溫度系數：±50ppm/°C; 容差：±0.5%; 封裝/外殼：1206（3216 公制）; 供應商器件封裝：1206; 大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）; 高度：0.026"（0.65mm）; 端子數：2; 包裝：帶卷 (TR)

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SI6443DQ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI4511DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
RYM18DTKS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
RT1206DRE0766K5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 66.5K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI3216M-FT
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
SI7489DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC
SMAJ14A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 14V 400W SMA
SST 1.5
保險絲 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端塊 FUSE 1.5A 125V 6125 SLOW SST
SI4511DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI6463BDQ-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI7489DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC
SI3216MPPT1-EVB
過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL W/SI3201 INTERFACE
SST 3
保險絲 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端塊 FUSE 3A 125V 6125 SLOW SST
SMAJ14A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 14V 5% SMA
RT1206DRE0768K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206

復制成功！

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