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SI1039X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1039X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1039X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1039X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1039X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1039X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：870mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 870mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：帶卷 (TR)

SJ1-3544N
套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 4PIN 3.5MM
SI1039X-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET P-CH 12V 870MA SC89
SG-210SEB 26.0000MF3
振蕩器 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 26.0000 MHZ 1.8V SMD
RT1206CRE0717K4L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 17.4K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SLF7055T-220M1R7-3PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR POWER 22UH 1.7A SMD
SF4382-3FPG-3ES
連接器，互連器件 Conxall/Switchcraft DO-201AD，軸向 CONN RCPT 3POS PNL MNT PIN
SEIFX-24
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 244-MDIMM TERM BARRIER 24CIRC SGL ROW .250
SJ1-3555NG-BE
套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM PCB
SG-211SCE 31.2500MT
振蕩器 Epson Electronics America Inc-Semiconductor Div 1008（2520 公制） OSCILLATOR 31.2500 MHZ 3.3V SMD
SJ-5003 (WHITE)
緩沖器，支腳，焊盤，握把 3M BUMPON HEMISPHERE .44X.20 WHITE
SF6282-3PG-520
連接器，互連器件 Conxall/Switchcraft SOD-64，軸向 CONN PLUG 3POS CABLE PIN
SLF7055T-4R7N3R1-3PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR POWER 4.7UH 3.1A SMD
SEIFX-5
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 244-MDIMM TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .250
SJ1-3555NG-PI
套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM PCB
SG2524DE4
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR PWM VM 16-SOIC