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SI1307DL-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：帶卷 (TR)
SI1307DL-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：帶卷 (TR)
SI1307EDL-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：帶卷 (TR)
SI1307EDL-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：Digi-Reel®
SI1307EDL-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI1307EDL-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3
- 包裝：帶卷 (TR)
- RF 混頻器 NXP Semiconductors 16-VFQFN 裸露焊盤 IC CRYSTAL OSCILLATOR LNB 16QFN
- 鉭 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 150UF 10V 20% 1210
- TVS - 晶閘管 Bourns Inc. TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SURGE SUPP THYRISTOR 120V TO-92
- FET - 單 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 線夾和夾具 Richco Plastic Co 68-PLCC LOOP CLAMP W/EYELET GRN 1-1/4"
- 嵌入式 - DSP（數字式信號處理器） Texas Instruments 361-LFBGA IC DSP FIXED-POINT 361NFBGA
- 數據采集 - 數模轉換器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DUAL 8-BIT MLTPLY DAC 20-SOIC
- LED - 分立式 Toshiba 2-迷你型 PLCC LED ORG CLR 605NM MINI PLCC SMD
- RF 混頻器 NXP Semiconductors 16-VFQFN 裸露焊盤 IC CRYSTAL OSCILLATOR LNB 16QFN
- 存儲器 Fairchild Semiconductor 28-CDIP（0.600"，15.24mm） IC EPROM 512KBIT 120NS 28CDIP
- 嵌入式 - DSP（數字式信號處理器） Texas Instruments 697-BFBGA，FCBGA IC DSP FIXED-POINT 697FCBGA
- 數據采集 - 數模轉換器 Texas Instruments 20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC DUAL 8-BIT MLTPLY DAC 20-SOP
- LED - 分立式 Toshiba 2-迷你型 PLCC LED ORG CLR 605NM MINI PLCC SMD
- 通孔電阻器 Ohmite TO-264-3，TO-264AA RES THICK FILM 10KOHM 85W TO264
- FET - 單 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 8V 900MA SC70-3
0755-83987779 
0755-83515980 
