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SI1307EDL-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI1307EDL-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：290mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：SC-70-3
包裝：帶卷 (TR)

SI1307EDL-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：290mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：SC-70-3
包裝：Digi-Reel®

SI1307EDL-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：850mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：290mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：SC-70-3
包裝：剪切帶 (CT)

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