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SI2301BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2301BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2301BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2301BDS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2301CDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2301CDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SLF6028T-680MR50
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 68UH 6028
SFR2500004221FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 4.22K OHM METAL FILM .40W 1%
SI2167-A10-FM
線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盤 IC DEMOD DVB-T/C/S//S2 48-QFN
RP15-123.3SA/N
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊（4 引線） CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
RT1206BRD0752K3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 52.3K OHM 1/4W .1% SMD 1206
S14B-PH-SM4-TB(LF)(SN)
矩形- 接頭，公引腳 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
SE75PFR-DR0
螺線形繞線，伸縮套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR BLK 0.75" (19.1MM)
SKY73012-11
RF 解調(diào)器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盤 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
SLF6028T-6R8M1R5-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 6.8UH 6028
RP15-123.3SA-HC
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊（4 引線） CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
RT1206BRD07549RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 549 OHM 1/4W .1% SMD 1206
S14B-PH-SM4-TB(LF)(SN)
矩形- 接頭，公引腳 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
SE75PFR-DR10
螺線形繞線，伸縮套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR WHT 0.75" (19.1MM)
SKY73012-11
RF 解調(diào)器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盤 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
SFR2500004423FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 442K OHM METAL FILM .40W 1%

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