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SI2323CDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2323CDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2323CDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2323DS-T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SSW-143-01-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL GOLD
RT9179AGS
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO ADJ .5A 8SOP
SI2319DS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
STD02W-S
標(biāo)記 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盤 WIRE & CABLE MARKERS
SMAJ48CHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 48V 10% SMA
SS-748806SC5-BB-PG4-BZ
模塊 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
SRS-2-1.040
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.04X.25 #6 GY
MP4-2U-2U-4QE-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SSW-143-02-T-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL TIN
STD02Y-5
標(biāo)記 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盤 MARKER SNAP-ON 5 1.4-1.8MM YELLW
SS-7488SC5-YG-PG4-BA
模塊 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
SMAJ5.0
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 5.0V 400W UNIDIR SMD
MP4-2U-4EE-4LL-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SRS-2-1.115
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.115X.25 #6 GY
RT9183-12GGF
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Richtek USA Inc TO-261-4，TO-261AA IC REG LDO 1.2V 1.5A SOT223

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