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SI4418DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4418DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4418DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4418DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4418DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4418DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

MS27484T18B35AB
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 66POS STRGHT PIN
MS3102A36-7P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 47POS BOX MNT W/PINS
SP1210R-563K
固定式 API Delevan Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR PWR SHIELDED 56.0UH SMD
SI4418DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
SG-615PTJ 32.0000MC0:ROHS
振蕩器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR 32.0000MHZ SMD
MS27656T15F18SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
SFR2500002553FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 255K OHM METAL FILM .40W 1%
SP1210R-681K
固定式 API Delevan Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR PWR SHIELDED .680UH SMD
MS3102A36-7P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 47POS BOX MNT W/PINS
MS27656T15F18SB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
SG-615PTJ 32.7680MC0:ROHS
振蕩器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR 32.7680MHZ SMD
SFR2500002559FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 25.5 OHM METAL FILM .40W 1%
SP1210R-682K
固定式 API Delevan Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR PWR SHIELDED 6.80UH SMD
SI4420DY
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
MS27484T18B35PC
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 66POS STRAIGHT W/PINS

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