SI4425BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4425BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4425BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4425BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
- 接口 - UART（通用異步接收器/發送器） NXP Semiconductors 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC DUART 28-DIP
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.49K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
0755-23613962 
0755-23919407 
