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SI4431-A0-FM詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 收發(fā)器; 描述：IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：240MHz ~ 930MHz; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：128kbps; 調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK; 應(yīng)用：-; 功率_輸出：13dBm; 靈敏度：-118dBm; 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V; 電流_接收：18.5mA; 電流_傳輸：28mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲(chǔ)容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤; 包裝：管件

SI4431-B1-FM詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 收發(fā)器; 描述：IC TXRX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：240MHz ~ 930MHz; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256kbps; 調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK; 應(yīng)用：通用; 功率_輸出：13dBm; 靈敏度：-121dBm; 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V; 電流_接收：18.5mA; 電流_傳輸：30mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲(chǔ)容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤; 包裝：管件

SI4431-B1-FMR詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 收發(fā)器; 描述：IC TXRX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：240MHz ~ 930MHz; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256kbps; 調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK; 應(yīng)用：通用; 功率_輸出：13dBm; 靈敏度：-121dBm; 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V; 電流_接收：18.5mA; 電流_傳輸：30mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲(chǔ)容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤; 包裝：帶卷 (TR)

SI4431BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4431BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4431BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RTE1000N13
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY 10POS BCD
RT0402CRE0762KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 62.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SR151A331JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
SI4431BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4493DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
SI7366DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC
SH566P6S36
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHLD MINIMIZER DOUBLE-ENDED STRT
RTE1011R14
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY ESD EXT SHAFT REV
RT0402CRE07649RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 649 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7370DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
SH566S6S36
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
SI4501ADY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH HALF BRG 30V 8SOIC
RTE120-2
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.20A HOLD
RT0402CRE0764K9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 64.9KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SR151A331KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL

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