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<![CDATA[<blockquote id="yp1b0"><p id="yp1b0"></p></blockquote>]]>
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SI4464-B1B-FM詳細規格
- 類別：RF 收發器
- 描述：TXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN
- 系列：EZRadioPRO®
- 制造商：Silicon Laboratories Inc
- 頻率：119MHz ~ 960MHz
- 數據傳輸率_最大：1Mbps
- 調制或協議：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK
- 應用：住宅/樓宇自動化，工業控制
- 功率_輸出：20dBm
- 靈敏度：-124dBm
- 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V
- 電流_接收：13.6mA
- 電流_傳輸：85mA
- 數據接口：PCB，表面貼裝
- 存儲容量：-
- 天線連接器：PCB，表面貼裝
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：*
- 包裝：*
SI4464-B1X-FM詳細規格
- 類別：RF 收發器
- 描述：TRANSCEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN
- 系列：EZRadioPRO®
- 制造商：Silicon Laboratories Inc
- 頻率：119MHz ~ 960MHz
- 數據傳輸率_最大：1Mbps
- 調制或協議：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK
- 應用：住宅/樓宇自動化，工業控制
- 功率_輸出：20dBm
- 靈敏度：-124dBm
- 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V
- 電流_接收：13.6mA
- 電流_傳輸：85mA
- 數據接口：PCB，表面貼裝
- 存儲容量：-
- 天線連接器：PCB，表面貼裝
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤
- 包裝：管件
SI4464DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4464DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4464DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4464DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
- 鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
- 斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 5A ROTARY 240VAC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220
- RF 評估和開發套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55008-E
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
- 斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 12A ROTARY 240VAC
- RF 評估和開發套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55015E
- PMIC - LED 驅動器 STMicroelectronics 20-UFQFN IC LED DVR CHARGE PUMP 20QFN
- 鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 36.000 MHZ 1.8V SMD
0755-23956875 
0755-23919407 
