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SI4470EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4470EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4470EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4470EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4470EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4470EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SQP500JB-2R4
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 2.4 OHM 5W 5% WIREWOUND
SFV12R-2STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 12POS .5MM R/A SMD
SGR-8002DB-SCM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V ST
MS3102R28-16P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 20POS BOX MNT W/PINS
SI4470EY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
MS27656T25A19S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
SQP500JB-36R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 36 OHM 5W 5% WIREWOUND
T495B156K016ATE800
鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 15UF 16V 10% 1411
SFV14R-1STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 14POS .5MM R/A SMD
MS3102R28-17S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS BOX MNT W/SCKT
MS27656T25A19SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
SQP500JB-470R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 470 OHM 5W 5% METAL OXIDE
T495B156K016ZTE500
鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 15UF 16V 10% 1411
SGR-8002DC-PCC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP，4 引線（半尺寸） OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E
SFV15R-1STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 15POS .5MM R/A SMD

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