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SI4830CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4830CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4830CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4830CDY-T1-GE3供應商

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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 150PF 1KV 20% NP0 1210
VI-B7K-IX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
VI-B6W-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W