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SI7115DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：295 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7115DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：295 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7115DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：295 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

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陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 10% RADIAL
MS27497T20B39S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 39POS WALL MNT W/SCKT
MS3100E28-11SW
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 22POS WALL MNT W/SCKT
T495X157K016ATE100
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 16V 10% 2917
MS27508E14B5S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
MS27497T20B41SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 41POS WALL MNT W/SCKT
SR211C102MAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 20% RADIAL
MS3106E16S-8PF187
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5 POS STRAIGHT W/PINS