

SI7411DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7411DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7411DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7411DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7411DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7411DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 11.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 300µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 徑向 RELAY GEN PURPOSE DPST 8A 24V
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 910 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 475 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
- FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.35A HOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 10.2K OHM 1/16W .5% SMD 0402
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 47.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 線路濾波器 TDK-Lambda Americas Inc 徑向 EMI FILTER 500VAC 6A SCREW TERM
- FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH 250V SOP8
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL