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SI7411DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7411DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7411DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7411DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7411DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7411DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 11.4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

RTE44024F
功率，高于 2 安 TE Connectivity 徑向 RELAY GEN PURPOSE DPST 8A 24V
SR151A471JAATR2-
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
RT0402CRE07910RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 910 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7411DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
RT0805CRD07475RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 475 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4620DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
SH8K3TB1
FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8
RTEF135
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.35A HOLD
SR151A471JART
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
RT0402DRD0710K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 10.2K OHM 1/16W .5% SMD 0402
RT0805CRD0747RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 47.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4620DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
RTEN-5006
線路濾波器 TDK-Lambda Americas Inc 徑向 EMI FILTER 500VAC 6A SCREW TERM
SH8M70TB1
FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 250V SOP8
SR151A471KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL

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