SI7461DP-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI7461DP-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：Digi-Reel®
SI7461DP-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：帶卷 (TR)
SI7461DP-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：Digi-Reel®
SI7461DP-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI7461DP-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 14.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
- 包裝：帶卷 (TR)
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 雙 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SLIC/CODEC PROG 1CH 38TSSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 52.3K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 130V 400W BI 5% SMD
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 雙 CONN MAGJACK 4PT 10/100BTX SHLD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 53.6 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 雙 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX SHLD
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 130V 400W BIDIR 5% SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156
0755-82575207 
0755-29275935 
