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SI7464DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7464DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7464DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7464DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7464DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7464DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SZ1SMB5941BT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 3W 47V SMB
STPS10L40CG-TR
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 40V 5A D2PAK
SI7461DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
STS8C5H30L
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
SWH25X-NULC-S07-UU-BA
矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RCPT .100" SNGL BEIGE 7POS
SIA923EDJ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6
SSK-125-S-G
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 25POS GOLD T/H
SM4124FTR383
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 0.383 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB7.5AT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 7.5V SMB
STS8DNH3LL
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SWITCH08
開關(guān) Red Lion Controls 徑向 8-PORT ETHERNET SWITCH
SSK-132-S-G
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 32POS GOLD T/H
SZ1SMC20AT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AB，SMC TVS ZENER 1.5KW 20V SMC
SM4124FTR487
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 0.487 OHM 2W 1% WW 4124
SIA975DJ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6

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