

SI7464DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7464DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7464DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7464DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7464DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7464DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 3W 47V SMB
- 二極管,整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB DIODE SCHOTTKY 40V 5A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
- 矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RCPT .100" SNGL BEIGE 7POS
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 25POS GOLD T/H
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 0.383 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 7.5V SMB
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- 開關 Red Lion Controls 徑向 8-PORT ETHERNET SWITCH
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 32POS GOLD T/H
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AB,SMC TVS ZENER 1.5KW 20V SMC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 0.487 OHM 2W 1% WW 4124
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6