

SI7478DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7478DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7478DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7478DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7478DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7478DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.33UF 50V 10% AXIAL
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 400W 14V 5% SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 30W 40-160VIN 24VOUT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 1500PF 2KV RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.33UF 50V 10% AXIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 22PF 200V 10% AXIAL
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 1500UH .22A 20% SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 30W 40-160VIN 24VOUT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 0.015UF 1KV 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.47UF 50V 20% AXIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 47PF 200V 5% AXIAL
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 22UH 10145