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SI8401DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8401DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：Digi-Reel®

SI8401DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

SI8401DB-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

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鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2917
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