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SI9926BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI9926BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9926BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9926BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SG-51PH 48.0000MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 48.0000MHZ PDIP
MIC2250YML TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 Micrel Inc 8-VFDFN 裸露焊盤(pán)，8-MLF? IC REG BOOST ADJ 2A 8MLF
SI9926BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
RNF14FTD1M74
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1.74M OHM 1/4W 1% AXIAL
SLP122M200H5P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 200V 20% SNAP
S1JB-13
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP SMD 600V 1A SMB
SI3861BDV-T1-GE3
PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
ROV20H560L-S-2
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤(pán) 20mm VARISTOR 56V 20MM STRAIGHT T/R
SG-51PH 60.0000MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 60.0000MHZ PDIP
RNF14FTD1R00
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 1 OHM 1% AXIAL
SLP123M016A5P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 12000UF 16V 20% SNAP
S1JB-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP SMD 600V 1A SMB
SI3865BDV-T1-E3
PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
ROV20H680L-2
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤(pán) 20mm VARISTOR 68V 20MM RADIAL T/R
SG-531P 12.2880MC
振蕩器 EPSON 8-DIP，4 引線（半尺寸） OSCILLATOR 12.2880MHZ PDIP