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SIA427DJ-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
按地區：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SIA427DJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 8V SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 8.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2300pF @ 4V
功率_最大：19W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單
包裝：帶卷 (TR)

SIA427DJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 8V SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 8.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2300pF @ 4V
功率_最大：19W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單
包裝：剪切帶 (CT)

SIA427DJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 8V SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 8.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2300pF @ 4V
功率_最大：19W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單
包裝：Digi-Reel®

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