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SIA810DJ-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SIA810DJ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.7A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V
功率_最大：6.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：剪切帶 (CT)

SIA810DJ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.7A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V
功率_最大：6.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：帶卷 (TR)

SIA810DJ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.7A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V
功率_最大：6.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：Digi-Reel®

SIA810DJ-T1-E3供應商

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