

SPB2詳細規格
- 類別:箱 - 元件
- 描述:PANEL SWING KIT
- 系列:SPB
- 制造商:Hammond Manufacturing
- 類型:面板套件
- 特性:鉸鏈式
- 配套使用產品/相關產品:1418、C3R-HCLO、C3R-HCR 系列
- 大小/尺寸:-
- 顏色:-
- 材料:-
SPB20N60C3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:20.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 13.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:114nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:208W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SPB20N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:103nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 25V
- 功率_最大:208W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SPB20N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:103nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 25V
- 功率_最大:208W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:Digi-Reel®
SPB20N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:103nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 25V
- 功率_最大:208W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
SPB21N10詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 44µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:865pF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:P-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 10000PF 50V 10% AXIAL
- 電路板襯墊,支座 Richco Plastic Co 徑向,Can SPACER RND PLAST #10SCREW 3/8"
- 配件 Omron Electronics Inc-EMC Div INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
- 鉭 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 33UF 16V 10% 2917
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 徑向,Can CONN RCPT .100" 3POS GOLD T/H
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 10000PF 50V 20% AXIAL
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
- 鉭 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 33UF 20V 10% 2917
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 5POS TIN T/H
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.1UF 50V 20% AXIAL
- 配件 Omron Electronics Inc-EMC Div INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR